Scurtă istorie a descoperirii LED-urilor

Electroluminiscența ca fenomen a fost descoperită în 1907 de către experimentatorul britanic H. J. Runda de la Marconi Labs, folosind un cristal de carbură de siliciu și un detector cu cristal. Inventatorul sovietic Oleg Losev a raportat crearea primul LED în 1927. Cercetările sale au fost distribuit în reviste științifice ruse, germane și  britanice, dar multe decenii nu a existat nicio utilizare practică. Kurt Lehovec, Carl Accardo și Edward Jamgochian au experimentat aceste prime diode emițătoare de lumină în 1951, folosind un aparat care utilizează cristale SiC cu o sursă de curent de generator de la o baterie sau generator de impulsuri, comparându-le cu o variantă de cristal pur în 1953.

Rubin Braunstein de la Radio Corporation of America a raportat emisia în infraroșu cu ajutorul arseniurii de galiu (GaAs) și a altor aliaje din materiale semiconductoare în 1955. Braunstein a observat emisia în infraroșu generată de structuri de diode simple folosind antimoniurp de galiu (GASB), GaAs, fosfură de indiu (InP) și aliaj siliciu-germaniu (SiGe), la temperatura camerei și la 77 grade Kelvin.

În 1957, Braunstein a demonstrat apoi că dispozitivele rudimentare ar putea fi folosite pentru comunicarea non-radio pe o distanță scurtă. După cum s-a menționat de către Kroemer Braunstein, “.. a înființat o legătură simplă de comunicații optice: Muzica rezultată de la un sistem de redare a fost utilizată cu ajutorul electronicii adecvate pentru a modula curentul direct al unei diode GaAs. Lumina emisă a fost detectată de către o diodă PbS aflată la o oarecare distanță. Acest semnal a fost transmis într-un amplificator audio, și redat printr-un difuzor. Obturarea fasciculul oprea muzica. Ne-am distrat mult jucându-ne cu această configurare. ” Această configurare a prevestit utilizarea LED-urilor pentru aplicații de comunicații optice.

 

un-led-gaas-de-la-texas-instruments-snx-100-intr-o-carcasa-de-metal-de-tranzistor-to-18
(Un LED GaAs de la Texas Instruments SNX-100 într-o carcasă de metal de tranzistor TO-18, https://en.wikipedia.org/wiki/File:SNX100.jpg)

În septembrie 1961, în timp ce lucrau la Texas Instruments din Dallas, Texas, James R. Biard și Gary Pittman au descoperit emisie de lumină în infraroșu apropiat (900 nm) dintr-o diodă tunel pe care au construit-o pe un substrat de GaAs. În octombrie 1961 au demonstrat cuplarea eficientă dintre o emisie de lumină și un semnal,  respectiv între o joncțiune p-n GaAs emițătoare de lumină și un fotodetector semiconductor electric izolat. În 8 august 1962, Biard și Pittman au depus un brevet de invenție intitulat “Dioda semiconductyoare radiantă”, bazat pe descoperirile lor, care descria un LED cu joncțiune p-n difuzată de zinc cu un contact catod distanțat pentru a permite emisia eficientă a luminii în infraroșu sub polarizare directă. După stabilirea priorității activității lor pa baza notificărilor lor inginerești de la G.E. Labs, RCA Research Labs, IBM Research Labs, Bell Labs, și Lincoln Lab de la MIT, oficiul de brevete din SUA a emis celor doi inventatori brevetul pentru LED-ul cu GaAs în infraroșu (IR) (US Patent US3293513), acesta fiind prinul LED practic. Imediat după depunerea brevetului, Texas Instruments (TI) a început un proiect pentru fabricarea de diode în infraroșu. În octombrie 1962 TI a anunțat primul produs comercial cu LED-uri (SNX-100), care a folosit un cristal GaAs pur pentru a emite o lumină de ieșire de 890 nm. În octombrie 1963 TI a anunțat primul LED comercial emisferic, SNX-110.

Citeste tot articolul: http://www.ensola.ro/scurta-istorie-descoperirii-led-urilor/